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學術報告:低維納米材料中的缺陷、電子結構和聲子輸運性質

發布時間:2018-03-12  瀏覽次數:498

報告題目:低維納米材料中的缺陷、電子結構和聲子輸運性質(Defects, electronic structures and phonon transport properties in low dimensional nanomaterials

時間:2018313日上午8:30-10:30

地點:動力樓204多媒體會議室

報告人:韓洋 博士

主辦單位:科學技術研究院
承辦單位:動力與能源工程學院

報告內容:

石墨烯的半金屬性和帶隙的缺乏限制了其在納米電子學中的應用。新型低維納米材料如二硫化鉬、二硫化鎢等化合物具有本征帶隙,使其在納米電子學領域的表現優于傳統的石墨烯。但在實驗上合成和制備單層二硫化鉬時,不可避免在合成的樣品中存在缺陷。這些缺陷將對樣品的力學和電磁性質都會產生影響。本報告講述關于含有單S和雙S空位線缺陷的單層MoS2MoS2納米帶的穩定性、電子結構和磁性性質。此外,聲子輸運性質計算表明基態棒槌形狀(LHD Silicene/Gemanene)的二維硅/鍺的晶格熱導率都比普通低褶皺(LB silicene)硅稀的低,在熱電領域具有潛在的應用價值。

韓洋博士簡介:

韓洋博士主要從事關于材料的熱輸運、熱電和電磁性質等方面的數值模擬研究。20099月,進入南京大學物理系學習,并于20147月獲得理學博士學位。之后赴RWTH Aachen University進行為期兩年的博士后研究工作。2016年加入動力學院。在理論計算和數值模擬領域,共發表SCI論文18篇,其中第1作者11篇,他引百余次。另外,兩次以第1作者身份,在1區雜志Nanotechnology發表亮點文章。


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